
,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。、输出特性对于共源极接法的电路,源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离,所以栅极电流为0。当VGSMOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。
1.三个极的判定G极(gate)—栅极,不用说比较好认S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:要么都由S指向D,要么都有D指向,那一极连接输出端2>控制极电平为?V时MOS管导通3>控制极电平为?V时MOS管截止NMOS:D极接输入,S极接输出PMOS:S极接输入,D极接输出反证法加强理解NMOS假如:S接输入,D接输出由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用PMOS假如:D接输入,S接输出同样失去了开关的作用—导通时Ug>Us,Ugs>Ugs(th)时导通P沟道—导通时Ug
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